AT32F425官方标称最高频率是96M，显然这个频率是为了照顾USB应用，定位更低一些的AT32F421最高频率为120M，稍高一些的AT32F415是150M，这几个型号都是嵌入式FLASH，都需要设置FLASH等待周期，最高频率和那些SRAM缓存架构的型号没法比，相互之间应该还是有一些可比性的。

三个对比下来，感觉AT32F425作为后出来的型号标96M最高主频有些低了，尝试超频测试一下。

测试还是使用Dhrystone，频率的提高对应着性能的提高，同时由于需要设置FLASH等待周期，性能的增加不一定是线性的。编译器都是AC6.13.1，优化等级O3

首先使用8M主频的DhryStone测试结果作为对比，此时工作电流46.5mA，供电端口为板载ATLink的MicroUSB接口。

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info clk


 CK_SYS   = 8000000


 CK_AHB   = 8000000


 CK_APB2  = 8000000


 CK_APB1  = 8000000


 CK_ADC   = 4000000


dhry


Start dhrystone test...


Stopped, elasped time = 56ms 5568

然后是AT32F425标称96M最高主频，工作电流56.4mA

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info clk


 CK_SYS   = 96000000


 CK_AHB   = 96000000


 CK_APB2  = 96000000


 CK_APB1  = 48000000


 CK_ADC   = 48000000


dhry


Start dhrystone test...


Stopped, elasped time = 4ms 696

提高到AT32F421最高的120M主频，工作电流58.7mA

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info clk


 CK_SYS   = 120000000


 CK_AHB   = 120000000


 CK_APB2  = 120000000


 CK_APB1  = 60000000


 CK_ADC   = 60000000


dhry


Start dhrystone test...


Stopped, elasped time = 3ms 557

提高到接近AT32F415最高主频的144M，工作电流60.7mA

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info clk


 CK_SYS   = 144000000


 CK_AHB   = 144000000


 CK_APB2  = 144000000


 CK_APB1  = 72000000


 CK_ADC   = 72000000


dhry


Start dhrystone test...


Stopped, elasped time = 2ms 464

继续超频到168M，串口吐了几个字节就失去响应了，看来是不行了，此时AT-START-F425开发板工作电流62.6mA。尝试将APB2和APB1频率再降低一半，测试了下还是不行，看来是真不行了。

实验结果汇总见下表：

| 主频 | 8M | 96M | 120M | 144M | 168M |

| —- | ——- | —— | —— | —— | —— |

| 电流 | 46.5mA | 56.4mA | 58.7mA | 60.7mA | 62.6mA |

| 时间 | 55.68ms | 6.96ms | 5.57ms | 4.64ms | BBQ了 |

总结一下：AT32F425在超过标称96M的120M、144M均可以运行，到168M就不行了。随着主频的提高，性能对应提高，功耗也在增大。需要注意的是，本文所做的超频测试仅仅用于实验，目的是为了探索AT32F425这颗芯片的潜力，实际中不推荐用户超频使用，因为超频除了带来性能提升，还带来了功耗的增加，稳定性和可靠性的下降，并且厂家的用户手册给出的参数也仅适用于标称频率，超频以后参数无法得到保证。我自己的项目通常是选择能满足要求的最低频率，不满足了再提高主频，仅供大家参考。